ZnO/diamond-like carbon (DLC) thin films are deposited by pulsed laser deposition (PLD), and the room-temperature photoluminescence (PL) is investigated. Using a fluorescence spectrophotometer, we obtain the PL spectra of DLC/Si and ZnO/Si thin films deposited at different substrate temperatures. The ZnO/DLC thin films show a broadband emission almost containing the entire visible spectrum. The Gaussian fitting curves of PL spectra reveal that the visible emission of ZnO/DLC thin films consists of three peaks centered at 381 nm, 526 nm and 682 nm, which are attributed to the radiative recombination of ZnO and DLC, respectively. The Commission International de l,Eclairage (CIE) 1931 (x, y) chromaticity space of ZnO/DLC thin films indicates that the visible PL spectrum is very close to the standard white-light region.

ZnO/diamond-like carbon (DLC) thin films are deposited by pulsed laser deposition (PLD) on Si (111) wafer. Visible room-temperature photoluminescence (PL) is observed from ZnO/DLC thin films by fluorescence spectrophotometer. The Gaussian curve fitting of PL spectra reveals that the broadband visible emission contains three components with λ=508 nm, 554 nm and 698 nm. The origin and possible mechanism of the visible PL are discussed, and they can be attributed to the PL recombination of ZnO and DLC thin films.

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜， 用Cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明：样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；当Cu和 ZnO直接接触时，样品的I-V特性是非线性的；当Cu和 ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。

为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响，采用脉冲激光沉积技术，在P-Si〈111〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析，并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明，所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰，没有发现Cu的衍射峰，在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下，样品有较好的c轴择优取向；室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带，该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷，属于深能级发射机制，并且随着氧压的升高，其发光强度增强。

为了研究Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质，采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si(111)衬底上制备了Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜，其中, Eu3+作为发光中心，而Li+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示，Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向，X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰；Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似，但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象，峰值位于382nm处，且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时，在光致发光光谱中观察到了稀土Eu3+在594nm，613nm附近的特征发光峰。结果表明，掺杂元素Eu3+，Li+均已进入到ZnO晶格中，形成了以Eu3+为发光中心的ZnO纤锌矿结构。

利用多孔阳极氧化铝(PAA)的纳米列阵结构，将金属铜电镀到氧化铝的孔中，得到含有金属铜纳米列阵阳极氧化铝(Cu/PAA)膜。实验中发现，Cu/PAA膜的偏振特性与电镀条件有关。在一定的范围内，随着电镀时间和电流密度的增加，消光比增大。电镀溶液的温度也是影响Cu/PAA膜消光比的一个很重要的因素，在电镀溶液温度相对较高的情况下，电流密度相对较小时也可以获得相对较高的消光比。通过优化电镀条件可获得高效率的Cu/PAA膜微偏振器。这种电化学方法制备的微偏振器，制备工艺简单，尺寸可控，便于实现产业化，有广泛的应用前景。